화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제
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작성일 25-07-11 21:48
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화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제
화학공학 - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제
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순서
Wafer cleaning
Types and sources of contamination
Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있따 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Impurities- incorporated during the formation of substrates or over layer films. 보통 제거되지 않는다.
Organic contaminants - smog, skin oil, fluxes, lubricants, solvent vapors, monomers from plastic tubing and storage boxes that can condense on substrate. strong oxidizers, gaseous or liquid을 이용하여 제거된다된다.
Inorganic contaminants 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다된다.
Wet cleaning
: Conversion of contaminant into a soluble compound or its washing off force by the force altering its adhesion to the surface
`용도에 따른 약품 분류`
Particles
Organic
M…(省略)
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